邱成供應(yīng)Knowles Voltronics電容器A1F4HV
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邱成供應(yīng)Knowles Voltronics電容器A1F4HV
）表面層陶瓷電容器 電容器的微小型化，即電容器在盡可能小的體積內(nèi)獲得盡可能大的容量，這是電容器發(fā)展的趨向之一。對于分離電容器組件來說，微小型化的基本途徑有兩個：①使介質(zhì)材料的介電常數(shù)盡可能提高；②使介質(zhì)層的厚度盡可能減薄。在陶瓷材料中，鐵電陶瓷的介電常數(shù)很高，但是用鐵電陶瓷制造普通鐵電陶瓷電容器時，陶瓷介質(zhì)很難做得很薄。首先是由于鐵電陶瓷的強度低，較薄時容易碎裂，難于進行實際生產(chǎn)操作，其次，陶瓷介質(zhì)很薄時易于造成各種各樣的組織缺陷，生產(chǎn)工藝難度很大。
表面層陶瓷電容器是用BaTiO3等的表面上形成的很薄的絕緣層作為介質(zhì)層，而半導體陶瓷本身可視為電介質(zhì)的串聯(lián)回路。表面層陶瓷電容器的絕緣性表面層厚度，視形成方式和條件不同，波動于0.01～100μm之間。這樣既利用了鐵電陶瓷的很高的介電常數(shù)，又有效地減薄了介質(zhì)層厚度，是制備微小型陶瓷電容器一個行之有效的方案。
在半導體陶瓷表面形成表面介質(zhì)層的方法很多，這里僅作簡單介紹。在BaTiO3導體陶瓷的兩個平行平面上燒滲銀電極，銀電極和半導體陶瓷的接觸介面就會形成極薄的阻擋層。由于Ag是一種電子逸出功較大的金屬，所以在電場作用下，BaTiO3導體陶瓷與Ag電極的接觸介面上就會出現(xiàn)缺乏電子的阻擋層，而阻擋層本身存在著空間電荷極化，即介面極化。這樣半導體陶瓷與Ag電極之間的這種阻擋層就構(gòu)成了實際上的介質(zhì)層。
這種電容器瓷件，先在大氣氣氛中燒成，然后在還原氣氛中強制還原半導化，再在氧化氣氛中把表面層重新氧化成絕緣性的介質(zhì)層。再氧化層的厚度應(yīng)控制適當。若氧化膜太薄，電極和陶瓷間仍可呈現(xiàn)pn結(jié)的整流特性，絕緣電阻和耐電強度都得不到改善。隨著厚度的逐漸增加，pn結(jié)的整流特性消失，絕緣電阻提高，對直流偏壓的依存性降低。但是，再氧化的時間不宜過長，否則可能導致陶瓷內(nèi)部重新再氧化而使電容器的容量降低。還原處理的溫度為800～1200℃，再氧化處理的溫度為500～900℃。經(jīng)還原處理后的陶瓷材料，絕緣電阻率可降至10～103Ω·cm，表面層的電阻率低于內(nèi)部瓷體的電阻率；薄瓷片的電阻率，一般比處理條件相同的較厚瓷體的電阻率低一些。由于再氧化處理形成的表面絕緣性介質(zhì)層的厚度比較薄，所以盡管其介電常數(shù)不一定很高，但是經(jīng)還原再氧化處理后，該表面層半導體陶瓷電容器的單位面積容量仍可達0.05～0.06μF/cm2。
晶界層陶瓷電容器 發(fā)育比較充分的BaTiO3半導體陶瓷的表面上，涂覆適當?shù)?/span>（例如CuO或Cu2O、MnO2、Bi2O3、Tl2O3等），在適當溫度下，于氧化條件下進行熱處理，涂覆的氧化物將與BaTiO3形成低共溶液相，沿開口氣孔和晶界迅速擴散滲透到陶瓷內(nèi)部，在晶界上形成一層薄薄的固溶體絕緣層。這種薄薄的固溶體絕緣層的電阻率很高（可達1012～1013Ω·cm），盡管陶瓷的晶粒內(nèi)部仍為半導體，但是整個陶瓷體表現(xiàn)為顯介電常數(shù)高達2×104到8×104的絕緣體介質(zhì)。用這種瓷制備的電容器稱為晶界層陶瓷電容器，簡稱BL電容器。
常見品牌型號如下：
BENZING 型號： 6799G07,00-61
Walther 型號： MD-006-2-WR013-19-1
Rexroth 型號： 820048002
Gemue 型號： 1215000Z1110
PULSOTRONIC 型號： KJ4-M12MN50-DPS-V2 ID:7822265
PULSOTRONIC 型號： 9982-2265
Staubli 型號： STA06.1101/MIK
Stabilus 型號： Nr.094358
Rexroth 型號： 820048002
Walther 型號： MD-006-2-WR013-19-1
ERSA 型號： 186541
Staubli 型號： STA06.1101/MIK
Stabilus 型號： Nr.094358
BENZING 型號： 6799G06,00-61
Staubli 型號： STA06.1101/MIK
BENZING 型號： 6799G04,00-61
BENZING 型號： 6799G03,20-61
BENZING 型號： 6799G07,00-61
Stabilus 型號： Nr.094358
Walther 型號： MD-006-2-WR013-19-1
PULSOTRONIC 型號： KJ4-M12MN50-DPS-V2 ID:822265
PULSOTRONIC 型號： 9982-2265
Staubli 型號： STA06.1101/MIK
Stabilus 型號： Nr.094358
Phoenix 型號： CUTFOX-S VDE - 1212207
Euchner 型號： 89420
Phoenix 型號： CUTFOX-S VDE - 1212207
Euchner 型號： 89420
Euchner 型號： 89420
Phoenix 型號： CUTFOX-S VDE - 1212207
Beta 型號： M3V-KET-PS6-SI Nr：BS22001
Phoenix 型號： CUTFOX-S VDE - 1212207
APEX 型號： 48-TSQ-12M
Phoenix 型號： CUTFOX-S VDE - 1212207
APEX 型號： 48-TSQ-12M
Celsa 型號： EQ48n 100/200/5A（EQ48 0-100/5A）
Celsa 型號： EQ48n 100/200/5A（EQ48 0-100/5A）
IBC 型號： 3208.AP
megatron-munchen 型號： MP 20 R1K W15% L1%
